產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
BTX 電融合電極由載玻片和不銹鋼電極組成，主要用于動(dòng)物細胞和原生質(zhì)體的融合、胚胎操作，整個(gè)融合過(guò)程可在顯微鏡下觀(guān)察。BTX 電融合電極技術(shù)規格：電壓范圍0-500V直流電，脈沖時(shí)間1μs-99ms，脈沖數1-99
詳情介紹：
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電融合電極
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電極名稱(chēng)
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產(chǎn)品應用
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Microslides
顯微載波片電極
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核移植，胚胎操作，雜交瘤生成，動(dòng)物細胞/植物原生質(zhì)體融合，卵母細胞的轉染
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Meander fusion chamber
曲流融合室
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動(dòng)物細胞/
植物原生質(zhì)體融合
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Flat electrode chamber
扁平電極
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雜交瘤生成，動(dòng)物細胞/植物原生質(zhì)體融合，動(dòng)物細胞的轉染
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1、Microslides
BTX 電融合電極由載玻片和不銹鋼電極組成，主要用于動(dòng)物細胞和原生質(zhì)體的融合、胚胎操作，整個(gè)融合過(guò)程可在顯微鏡下觀(guān)察。
BTX 電融合電極技術(shù)規格：電壓范圍0-500V直流電，脈沖時(shí)間1μs-99ms，脈沖數1-99
兼容性：ECM830，ECM2001
BTX 電融合電極由載玻片和不銹鋼電極組成，主要用于動(dòng)物細胞和原生質(zhì)體的融合、胚胎操作，整個(gè)融合過(guò)程可在顯微鏡下觀(guān)察。
BTX 電融合電極技術(shù)規格：電壓范圍0-500V直流電，脈沖時(shí)間1μs-99ms，脈沖數1-99
兼容性：ECM830，ECM2001
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貨號
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45-0103
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45-0104
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45-0105
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45-0106
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電極間距
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0.5mm
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1.0mm
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3.2mm
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10mm
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電場(chǎng)類(lèi)型
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不均勻
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不均勻
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均勻
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均勻
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容積（μl）
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20
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40
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700
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2200
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2、Meander Fusion Chamber
曲流融合室 特別為細胞融合設計的結構，鍍銀的導電性金屬合金以手指狀突起陣列融化在玻璃纖維載玻片上，提供不均勻電場(chǎng)，電極間距為0.2mm，構成高精度的工作區域，建議容量5-20μl。細胞融合過(guò)程可在顯微鏡下觀(guān)察，電極可經(jīng)溫和試劑的清洗重復使用。
技術(shù)規格：電壓范圍0-480V直流電，0-16V交流電，脈沖時(shí)間1 μsec - 99 msec，脈沖數1-99
兼容性：ECM2001
曲流融合室 特別為細胞融合設計的結構，鍍銀的導電性金屬合金以手指狀突起陣列融化在玻璃纖維載玻片上，提供不均勻電場(chǎng)，電極間距為0.2mm，構成高精度的工作區域，建議容量5-20μl。細胞融合過(guò)程可在顯微鏡下觀(guān)察，電極可經(jīng)溫和試劑的清洗重復使用。
技術(shù)規格：電壓范圍0-480V直流電，0-16V交流電，脈沖時(shí)間1 μsec - 99 msec，脈沖數1-99
兼容性：ECM2001
3、Flat Electrode Chamber
扁平電極 由兩塊平行帶凹槽的長(cháng)方形不銹鋼壓制于聚砜樹(shù)脂中構成，既可用于細胞的電穿孔又可用于細胞電融合：當凹槽電極的兩凹槽相對時(shí)，可產(chǎn)生不均勻電場(chǎng)用于細胞電融合；當凹槽的兩個(gè)平端相對時(shí)，產(chǎn)生均勻電場(chǎng)用于細胞電穿孔。電極間距1mm，容積0.5ml。
技術(shù)規格：電壓范圍0-480V直流電，0-16V交流電
兼容性：ECM830，ECM2001
扁平電極 由兩塊平行帶凹槽的長(cháng)方形不銹鋼壓制于聚砜樹(shù)脂中構成，既可用于細胞的電穿孔又可用于細胞電融合：當凹槽電極的兩凹槽相對時(shí)，可產(chǎn)生不均勻電場(chǎng)用于細胞電融合；當凹槽的兩個(gè)平端相對時(shí)，產(chǎn)生均勻電場(chǎng)用于細胞電穿孔。電極間距1mm，容積0.5ml。
技術(shù)規格：電壓范圍0-480V直流電，0-16V交流電
兼容性：ECM830，ECM2001
